首先步需要測(cè)試體積電阻值和表面電阻值，然后根據(jù)試樣的尺寸和電極系數(shù)，根據(jù)計(jì)算公式得到體積電阻率和表面電阻率，體積和表面電阻測(cè)試時(shí)，對(duì)電壓試樣的位置不同，從而能夠不同的電阻值

在接和未接試樣時(shí)電容的變化量是通過(guò)這個(gè)電容器來(lái)測(cè)得。在測(cè)微計(jì)電極中，次要的誤差來(lái)源于電容校正時(shí)所包含的電極的邊緣電容，此邊緣電容是由于插入一個(gè)與電極直徑相同的試樣而稍微有所變化,實(shí)際上只要試樣直徑比電極直徑小2倍試樣厚度，就可消除這種誤差。首先將試樣放在測(cè)微計(jì)電極間并調(diào)節(jié)測(cè)量電路參數(shù)。然后取出試樣，調(diào)節(jié)測(cè)微計(jì)電極間距或重新調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)電容器來(lái)使電路的總電容回到初始值。△G——接入試樣后，（圖1）的兩個(gè)電容讀數(shù)之差。值得注意的是在整個(gè)試驗(yàn)過(guò)程中試驗(yàn)頻率應(yīng)保持不變。貼在試樣上的電極的電阻在髙頻下會(huì)變得相當(dāng)大，如果試樣不平整或厚度不均勻，將會(huì)引起試樣損耗因數(shù)的明顯增加。這種變得明顯起來(lái)的頻率效應(yīng)，取決于試樣表面的平整度。

該頻率也可低到10MHzt因此，必須在ioMHg及更高的頻率下，且沒(méi)有貼電極的試樣上做電容的損耗因數(shù)的附加測(cè)量，假設(shè)Cw和tan<5w為不貼電極的試樣的電容和損耗因數(shù)，Cw-…帶電極的試樣電容。在一個(gè)線路兩點(diǎn)之間的接地屏蔽，可消除這兩點(diǎn)之間的所有的電容，而被這兩個(gè)點(diǎn)的對(duì)地電容所代替，因此，導(dǎo)線屏蔽和元件屏蔽可任意運(yùn)用在那些各點(diǎn)對(duì)地的電容并不重要的線路中；變壓器電橋和帶有瓦格納接地裝置的西林電橋都是這種類(lèi)型的電路。從另一方面來(lái)說(shuō),在采用替代法電橋里，在不管有沒(méi)有試樣均保持不變的線路部分是不需要屏蔽的。實(shí)際上，在電路試樣、檢測(cè)器和振蕩器的連線屏蔽起來(lái)。對(duì)于100kHz數(shù)量級(jí)或更高的頻率，連線應(yīng)可能短而粗。